Worin besteht der Unterschied zwischen Perc, TOPCon und HJT?

⭐ Über die PERC-Technologie (PERC (Passivierter Emitter und Rückseitenzelle))
PERC steht für Passivated Emitter and Rear Cell (passivierter Emitter und Rückseitenzelle). Die PERC-Solarzelle besitzt eine Passivierungsschicht auf der Rückseite, die Rekombinationsverluste minimiert und die Lichtabsorption erhöht. Die Hauptaufgabe dieser Schicht besteht darin, Licht zu reflektieren, das die Siliziumzelle durchdringt, ohne wieder vom Silizium absorbiert zu werden. Durch diese Reflexion erhält die Solarzelle eine zweite Chance, das Licht zu absorbieren, was zu einer deutlichen Effizienzsteigerung führt.

⭐ Über die TOPCon-Technologie (Tunneloxid-passivierter Kontakt, nennen Sie TOPCon)
Die TOPCon-Solarzellenstruktur besteht aus einer dünnen Tunneloxidschicht, die zwischen einer transparenten leitfähigen Oxidschicht (TCO) und einer p-dotierten kristallinen Siliziumschicht eingebettet ist. Die TCO-Schicht dient als Frontkontakt der Solarzelle, während die p-dotierte Schicht als Absorberschicht fungiert. Die Tunneloxidschicht dient als Passivierungsschicht und verhindert die Rekombination von Ladungsträgern an der Oberfläche der Solarzelle. Die erhöhte Effizienz ermöglicht die Solarpanel um eine größere Energiemenge pro Flächeneinheit zu gewinnen.

⭐ Über die Solarpanel-Technologie von HJT
Heterojunction-Solarzellen sind eine Art Photovoltaikmodul, das aus drei Schichten Photovoltaikmaterial besteht. Diese Module vereinen zwei unterschiedliche Technologien: kristallines Silizium und amorphes Dünnschichtsilizium, die zusammenwirken, um Strom zu erzeugen.
HJT-Zellen bestehen aus drei Hauptmaterialien: Kristallines Silizium (c-Si), Amorphes Silizium (a-Si) und Indiumzinnoxid (ITO).
Die erste Schicht aus amorphem Silizium fängt Sonnenlicht ein, bevor es die kristalline Schicht erreicht, sowie jegliches Licht, das von den darunterliegenden Schichten reflektiert wird. Die mittlere Schicht besteht aus monokristallinem Silizium und ist hauptsächlich für die Umwandlung des Sonnenlichts in Elektrizität verantwortlich. Die letzte Schicht ist eine weitere amorphe Silizium-Dünnschicht, die sich hinter dem kristallinen Silizium befindet und die restlichen Photonen einfängt, die die ersten beiden Schichten durchdrungen haben.
Durch die Kombination dieser beiden Technologien können Heterojunction-Solarmodule mehr Energie erzeugen, als jede Technologie allein erzeugen könnte. Diese Module erreichen Wirkungsgrade von 25 % und mehr und sind damit eine attraktive Option für die Solarenergieerzeugung.